NP110N03PUG 全国供应商、价格、PDF资料
NP110N03PUG-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 毫欧 @ 55A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：380nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：24600pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263
- 包装：带卷 (TR)
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENS 1000PSI M12-1.0 6G 1-5V
- FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
- 嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor 144-LQFP IC ARM CORTEX MCU 512KB 144LQFP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 ON Semiconductor 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER SGL UNBUFFER SOT353
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP
- 数据采集 - 数模转换器 Maxim Integrated 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DAC 8BIT DL MULT 20-SOIC
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div * RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 120V
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SOIC
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1000PSI M12-1.0 6G 4-20MA
- 逻辑 - 栅极和逆变器 ON Semiconductor 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER SGL UNBUFFER SOT353
- 数据采集 - 模数转换器 Maxim Integrated 24-DIP（0.300"，7.62mm） IC ADC 12BIT HS 24-DIP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div * RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 120V
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SSOP
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENS 1000PSI 22MM 1/4-18 5V 12"
0755-22929859 
0755-82563615 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755- 8251939 
18926544209/1 
15821228847 / 
010-62104931、 
0755-82865294 
13910052844（微 
010-62104931、 
0755-22669259 
