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» 型号"NOSW476M004R0150"的供应信息
NOSW476M004R0150 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
NOSW476M004R0150详细规格
类别:氧化铌
描述:CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
系列:OxiCap® NOS
制造商:AVX Corporation
电容:47µF
电压_额定:4V
容差:±20%
ESR(等效串联电阻):150 毫欧
电流_泄漏电流:3.8µA
耗散因数:6%
安装类型:表面贴装
封装/外壳:2312(6032 公制)
制造商尺寸代码:W
高度_座高(最大):0.059"(1.50mm)
特点:低 ESR
工作温度:-55°C ~ 125°C
包装:剪切带 (CT)
NOSW476M004R0150详细规格
类别:氧化铌
描述:CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
系列:OxiCap® NOS
制造商:AVX Corporation
电容:47µF
电压_额定:4V
容差:±20%
ESR(等效串联电阻):150 毫欧
电流_泄漏电流:3.8µA
耗散因数:6%
安装类型:表面贴装
封装/外壳:2312(6032 公制)
制造商尺寸代码:W
高度_座高(最大):0.059"(1.50mm)
特点:低 ESR
工作温度:-55°C ~ 125°C
包装:Digi-Reel®
NOSW476M004R0150详细规格
类别:氧化铌
描述:CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
系列:OxiCap® NOS
制造商:AVX Corporation
电容:47µF
电压_额定:4V
容差:±20%
ESR(等效串联电阻):150 毫欧
电流_泄漏电流:3.8µA
耗散因数:6%
安装类型:表面贴装
封装/外壳:2312(6032 公制)
制造商尺寸代码:W
高度_座高(最大):0.059"(1.50mm)
特点:低 ESR
工作温度:-55°C ~ 125°C
包装:带卷 (TR)
NOSW476M004R0150供应商
NOSW476M004R0150
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
13424184668
NOSW476M004R0150
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
NOSW476M004R0150
深圳思诺康科技有限公司
0755-83286481
NOSW476M004R0150
北京显周科技有限公司
13910052844(微
NOSW476M004R0150
深圳市星发盛电子有限公司
0755-83246537
NOSW476M004R0150
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
NOSW476M004R0150
北京显周科技有限公司
13910052844(微
NOSW476M004R0150
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
13424184668
NOSW476M004R0150
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多NOSW476M004R0150的供应商
NE3509M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NOSV477M006R0075
氧化铌 AVX Corporation 2924(7361 公制) CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
NLFV25T-100K-PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
MT5000-3/8-2-SP
热缩管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
NE5531079A-T1-A
RF FET CEL 4-SMD,扁平引线 FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
MT4VDDT1664HG-335F3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
MFR-25FRF-8K06
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2R02PA5101E9
背板 - 硬公制,标准 FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
NE3514S02-T1D-A
RF FET CEL 4-SMD,扁平引线 HJ-FET NCH 10DB S02
NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
MT5000-3/8-9-SP
热缩管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
MFR-25FRF-8K66
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 8.66KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT4VDDT1664HY-40BK1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
NE3515S02-T1C-A
RF FET CEL 4-SMD,扁平引线 FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
HM2R02PA5108E9
背板 - 硬公制,标准 FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
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