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NOJD107M010RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 100UF 10V 2917; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：100µF; 电压_额定：10V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：400 毫欧; 电流_泄漏电流：20µA; 耗散因数：12%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：2917（7343 公制）; 制造商尺寸代码：D; 高度_座高（最大）：0.122"（3.10mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：带卷 (TR)

NOJD107M010RWJ供应商

HMK325B7105KN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
NOJC476M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
NSBC114TF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
MIC2182YM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
NP110N055PUJ-E2B-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
NOJA475M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206
HMK325B7225KN-L
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206
P1168.242NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD
MGA-632P8-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP
NP32N055SHE-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
MIC2183BM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
NOJB226M004RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210
HMK325B7225KN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1210
P1168.273NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 27UH SMD
MGA-634P8-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC LNA ULTRA LOW NOISE ACT BIAS

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