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» 型号"NL453232T-4R7J-PF"的供应信息
NL453232T-4R7J-PF 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
NL453232T-4R7J-PF详细规格
类别:固定式
描述:INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
系列:NL
制造商:TDK Corporation
类型:-
电感:4.7µH
电流:
额定电流:315mA
电流_饱和值:-
容差:±5%
材料_磁芯:-
屏蔽:屏蔽
DC电阻333DCR444:最大 1 欧姆
不同频率时的Q值:50 @ 7.96MHz
频率_自谐振:35MHz
工作温度:-40°C ~ 105°C
封装/外壳:1812(4532 公制)
大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)
NL453232T-4R7J-PF详细规格
类别:固定式
描述:INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
系列:NL
制造商:TDK Corporation
类型:-
电感:4.7µH
电流:
额定电流:315mA
电流_饱和值:-
容差:±5%
材料_磁芯:-
屏蔽:屏蔽
DC电阻333DCR444:最大 1 欧姆
不同频率时的Q值:50 @ 7.96MHz
频率_自谐振:35MHz
工作温度:-40°C ~ 105°C
封装/外壳:1812(4532 公制)
大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
安装类型:表面贴装
包装:Digi-Reel®
NL453232T-4R7J-PF详细规格
类别:固定式
描述:INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
系列:NL
制造商:TDK Corporation
类型:-
电感:4.7µH
电流:
额定电流:315mA
电流_饱和值:-
容差:±5%
材料_磁芯:-
屏蔽:屏蔽
DC电阻333DCR444:最大 1 欧姆
不同频率时的Q值:50 @ 7.96MHz
频率_自谐振:35MHz
工作温度:-40°C ~ 105°C
封装/外壳:1812(4532 公制)
大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
安装类型:表面贴装
包装:剪切带 (CT)
NL453232T-4R7J-PF供应商
NL453232T-4R7J-PF
深圳市星发盛电子有限公司
0755-83246537
NL453232T-4R7J-PF
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
13424184668
NL453232T-4R7J-PF
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
NL453232T-4R7J-PF
深圳市芯福林电子科技有限公司
0755-82574045
NL453232T-4R7J-PF
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
NL453232T-4R7J-PF
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23140719
NL453232T-4R7J-PF
深圳市科雨电子有限公司
171-4729-0036
NL453232T-4R7J-PF
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
NL453232T-4R7J-PF
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507209
NL453232T-4R7J-PF
上海熠富电子科技有限公司
15026993318 /
NL453232T-4R7J-PF
深圳市芯柏然科技有限公司
0755-82533534
NL453232T-4R7J-PF
天津市博通航睿技术有限公司
18322198211
NL453232T-4R7J-PF
上海熠富电子科技有限公司
15821228847 /
NL453232T-4R7J-PF
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
NL453232T-4R7J-PF
中科航芯(深圳)科技有限公司
18927479189
NL453232T-4R7J-PF-4.7UH
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多NL453232T-4R7J-PF的供应商
HM2P08PDK1G1N9
背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
NDF11N50ZH
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 500V 12A TO220FP
NL453232T-471J-PF
固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 470UH 5% 1812
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
MFR-25FRF-11R3
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 11.3 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
NDT014L
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
OSTYK55221030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 11MM
NLC453232T-180K-PF
固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
HM2P08PDS1X0N9
背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
MFR-25FRF-11R8
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 11.8 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
NDT3055
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
NLC453232T-181K-PF
固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 180UH 120MA 10%
OSTYK55222030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 22CIRC 11MM
NDH832P
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SSOT,SuperSOT-8 MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
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