NE553 全国供应商、价格、PDF资料

NE5531079A-A详细规格

类别：RF FET

描述：FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A

系列：-

制造商：CEL

晶体管类型：LDMOS

频率：460MHz

增益：-

电压_测试：7.5V

额定电流：3A

噪音数据：-

电流_测试：200mA

功率_输出：40dBm

电压_额定：30V

封装/外壳：4-SMD，扁平引线

供应商设备封装：79A

包装：散装

NE5531079A-T1-A详细规格

类别：RF FET

描述：FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A

系列：-

制造商：CEL

晶体管类型：LDMOS

频率：460MHz

增益：-

电压_测试：7.5V

额定电流：3A

噪音数据：-

电流_测试：200mA

功率_输出：40dBm

电压_额定：30V

封装/外壳：4-SMD，扁平引线

供应商设备封装：79A

包装：带卷 (TR)

NE5531079A-T1A-A详细规格

类别：RF FET

描述：FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A

系列：-

制造商：CEL

晶体管类型：LDMOS

频率：460MHz

增益：-

电压_测试：7.5V

额定电流：3A

噪音数据：-

电流_测试：200mA

功率_输出：40dBm

电压_额定：30V

封装/外壳：4-SMD，扁平引线

供应商设备封装：79A

包装：带卷 (TR)

NE5532AD详细规格

类别：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

描述：IC OPAMP GP 10MHZ DUAL LN 8SOIC

系列：-

制造商：Texas Instruments

放大器类型：通用

电路数：2

输出类型：-

压摆率：9 V/µs

增益带宽积：10MHz

_3db带宽：-

电流_输入偏置：200nA

电压_输入失调：500µV

电流_电源：8mA

电流_输出/通道：38mA

电压_电源qqq单/双333ttt444：±5 V ~ 15 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：管件

NE5532AD8详细规格

类别：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

描述：IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

放大器类型：通用

电路数：2

输出类型：-

压摆率：9 V/µs

增益带宽积：10MHz

_3db带宽：-

电流_输入偏置：200nA

电压_输入失调：500µV

电流_电源：8mA

电流_输出/通道：38mA

电压_电源qqq单/双333ttt444：±3 V ~ 20 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：管件

NE5532AD8G详细规格

类别：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

描述：IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

放大器类型：通用

电路数：2

输出类型：-

压摆率：9 V/µs

增益带宽积：10MHz

_3db带宽：-

电流_输入偏置：200nA

电压_输入失调：500µV

电流_电源：8mA

电流_输出/通道：38mA

电压_电源qqq单/双333ttt444：±3 V ~ 20 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：管件