NE46134-T1 全国供应商、价格、PDF资料
NE46134-T1详细规格
- 类别：RF 晶体管 (BJT)
- 描述：TRANS NPN 1GHZ SOT-89
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶体管类型：NPN
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V
- 频率_转换：5.5GHz
- 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益：-
- 功率_最大：2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 50mA，10V
- 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：SOT-89
- 包装：带卷 (TR)
- 氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 4V 2312
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 1812
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X8 16TSSOP
- RF FET CEL 4-SMD，扁平引线 FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 549 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 1812
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 562 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X8 16TSSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 15UH 10% 1812
15026993318 / 
15821228847 / 
0755-88291559 
0755-82710336 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-22929859 
0755-83777708 
755-83210909 
0755-89697985 
010-62104931、 
0755-22655674 
0755-83223003 
0755-82732291 
010-62104931、 
