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NDT014详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：155pF @ 25V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：Digi-Reel®

NDT014详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：155pF @ 25V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：带卷 (TR)

NDT014详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：155pF @ 25V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：剪切带 (CT)

NDT014L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 3.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：214pF @ 30V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-4; 包装：Digi-Reel®

NDT014L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 3.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：214pF @ 30V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-4; 包装：带卷 (TR)

NDT014L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 3.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：214pF @ 30V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-4; 包装：剪切带 (CT)

NL453232T-3R9J-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
MFR-25FRF-11K3
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 11.3KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
NDS9953A
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
NLC453232T-180K-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
OSTYK55215030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 11MM
HM2P08PDK1G1N9
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
NDF11N50ZH
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 500V 12A TO220FP
NL453232T-471J-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 470UH 5% 1812
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
OSTYK55221030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 11MM
NLC453232T-180K-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
HM2P08PDS1X0N9
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
NDFEB 6X10MM
磁体 Standex-Meder Electronics TO-220-3 整包 MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM
NL453232T-4R7J-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA

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