NDS355AN详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：195pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：Digi-Reel®
NDS355AN详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：195pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：剪切带 (CT)
NDS355AN详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：195pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
NDS355N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：245pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：剪切带 (CT)
NDS355N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：245pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
NDS355N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：245pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：Digi-Reel®
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC SWITCH DUAL SPST US8
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 55POS TYPE C VERT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
- 固定式 TDK Corporation 2220（5650 公制） INDUCTOR POWER 39UH 370MA 2220
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 16CIRC 10MM
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） CONV DC/DC 3W 24VIN 15VOUT DIP24
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 237KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE AB VERT
- 固定式 TDK Corporation 2220（5650 公制） INDUCTOR POWER 39UH 370MA 2220
- 布线管，配线管道 Panduit Corp 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） DUCT SLT HAL FREE WH 5X.5"X 6’
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-WFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH DUAL DPDT 16WQFN
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 249KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
13510131896 
0755- 8251939 
0755-82524712 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-82522939 
19166203057 
0755-23915992 
0755-83951431 
0755-83987779 
0755-83051566 
0755-84507209 
