NDS352AP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：900mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：135pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：Digi-Reel®
NDS352AP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：900mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：135pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：剪切带 (CT)
NDS352AP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：900mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：135pF @ 15V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
NDS352P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 850MA SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：125pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
NDS352P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 850MA SSOT3
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：125pF @ 10V
- 功率_最大：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-SSOT
- 包装：剪切带 (CT)
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 55POS TYPE C VERT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 21.0 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC SWITCH SPDT US8
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 2CIRC 10MM
- 固定式 TDK Corporation 2220（5650 公制） INDUCTOR POWER 2.7UH 1.2A 2220
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） CONV DC/DC 3W 12VIN 15VOUT DIP24
- 存储器 Micron Technology Inc 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 86TSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 221 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 2220（5650 公制） INDUCTOR POWER 33UH 400MA 2220
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 7CIRC 10MM
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） CONV DC/DC 3W 24VIN 3.3V DIP24
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 22.1 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC SWITCH DUAL SPST US8
0755-83987779 
0755-83051566 
0755-84507209 
13510131896 
0755-82525087 
0512-67241533 
010-62962871、 
18927479189 
0755- 8251939 
0755-82561519 
0755-22929859 
0755-88917652 
021-51872165/ 
0755-82522939 
0755－82812004 
