

NDS331N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:162pF @ 10V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:Digi-Reel®
NDS331N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:162pF @ 10V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:剪切带 (CT)
NDS331N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:162pF @ 10V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:带卷 (TR)
NDS331N_D87Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A 3SSOT
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:162pF @ 10V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 715 OHM 1/4W 1% METAL FILM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH DUAL DPDT 16TSSOP
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 19CIRC 9.50MM
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90VFBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 71.5K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 ON Semiconductor 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽) IC BUFFER TRIPLE NON-INVERT US8
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 732 OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 132MHZ 90VFBGA
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 6CIRC 9.50MM
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 ON Semiconductor 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽) IC BUFF SCHM TRG TRPL N-INV US8
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3