NDH832P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 4.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SSOT，SuperSOT-8
- 供应商设备封装：8-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 11MM
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 磁体 Standex-Meder Electronics TO-220-3 整包 MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
- 存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 11.8 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 180UH 120MA 10%
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
- 存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 12.4KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 56UH 5% 1812
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 1UH 10% 453232
0755-/8321846 
0755-83291010 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83039139 
010-62962871、 
0755-83015506 
0755-8322-538 
0755-83663430 
0755-83223003 
15026993318 / 
0755-83051566 
13510131896 
19166203057 
15821228847 / 
010-62962871、 
