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MT47H64M8CB-3:B详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：托盘

MT47H64M8CB-3:B TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：带卷 (TR)

MT47H64M8CB-37E IT:B详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3.75ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：托盘

MT47H64M8CB-37E IT:B TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3.75ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：带卷 (TR)

MT47H64M8CB-37E:B详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3.75ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：托盘

MT47H64M8CB-37E:B TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3.75ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：带卷 (TR)

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