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MT9HTF6472FY-667B4D3详细规格: 类别：存储器 - 模块; 描述：MODULE DDR2 512MB 240FBDIMM; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512MB; 速度：667MT/s; 特点：-; 封装/外壳：240-FBDIMM

MT9HTF6472FY-667B4E3详细规格: 类别：存储器 - 模块; 描述：MODULE DDR2 512MB 240FBDIMM; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512MB; 速度：667MT/s; 特点：-; 封装/外壳：240-FBDIMM

MT9HTF6472FY-667D4E3详细规格: 类别：存储器 - 模块; 描述：MODULE DDR2 512MB 240-DIMM; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512MB; 速度：667MT/s; 特点：-; 封装/外壳：240-DIMM

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SR201E683MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
STB50N25M5
FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
T95V155K035ESAL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
MT9HTF6472FY-53ED4E3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
TC164-JR-0756RL
网络、阵列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 1206
T97R156M050LSB
钽 Vishay Sprague 3024（7660 公制） CAP TANT 15UF 50V 20% 3024
SMBJ8.5-E3/52
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIRECT 600W 8.5V 10% SMB
SR202A680JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 68PF 200V 5% RADIAL
T95V155K035LZAL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
TC164-JR-0768KL
网络、阵列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 68K OHM 4 RES 1206
SMBJ8.5-E3/5B
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 600W 8.5V 10% SMB
T97R156M063CSA
钽 Vishay Sprague 3024（7660 公制） CAP TANT 15UF 63V 20% 3024
SR202A681KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 200V 10% RADIAL
STB6NM60N
FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
T95V155M035CZSL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 1.5UF 35V 20% 1410