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MT48LC8M8A2TG-7E:G TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SDRAM; 存储容量：64M（8M x 8）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：54-TSOP II; 包装：剪切带 (CT)

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NE01-CCPC1-E
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 1 LICENSE
MFR-25FRF-47K5
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 47.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
NOSA156M004R1500
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 15UF 4V 1206
NLCV32T-R22M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210
NLAS9099MN1R2G
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH 16-QFN
NE350184C
RF FET CEL 微型-X 陶瓷 84C HJ-FET 20GHZ MICRO-X
NE01-CCPC1-EL10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
HM2P87PKA1M1GF
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 176POS TYPE D VERT
NOSA226M002R0900
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
NLCV32T-R47M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
NLAST4051DR2
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
NE3503M04-T2-A
RF FET CEL SC-82A，SOT-343 AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
HM2P88PD8110N9
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NE01-CCPC1-EL10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE