MT46V32M16P-5B的供应信息|PDF资料|求购MT46V32M16P-5B上51电子网

MT46V32M16P-5B IT:F TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MB 66TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：66-TSOP; 包装：Digi-Reel®

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MT46V32M16P-5B IT:J详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SDRAM 512MB 200MHZ 66TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：66-TSOP; 包装：托盘

MT46V32M16P-5B:C详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 66TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：66-TSOP; 包装：托盘

MT46V32M16P-5B:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 66TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：66-TSOP; 包装：带卷 (TR)

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MT46V32M16P-5B:J 艾睿（深圳）半导体有限公司 15813737183
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MT46V32M16P-5BIT:J 深圳振华航空半导体有限公司 15573532128（原
MT46V32M16P-5B F 深圳市向鸿伟业电子有限公司 0755-82561519
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PJ-050BH
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PESD5V0S4UD,115
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PCG0J102MCL1GS
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PGA116AIPWR
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PESD5V0S4UF,115
TVS - 二极管 NXP Semiconductors 6-XFDFN DIODE QUAD ESD PROTECTION 6XSON
PM40-R33M
固定式 Bourns Inc. 1812（4532 公制） INDUCTOR CHIP 0.33UH 20% SMT
PTC08SABN
矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 1812（4532 公制） CONN HEADER .100 SINGL STR 8POS
PJ-053C
桶型 - 电源 CUI Inc 1812（4532 公制） CON PWR JCK 1.0 X 3.9MM
PGA203KP
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP INSTR 1MHZ SGL 14DIP
PESD5V0U1UA,115
TVS - 二极管 NXP Semiconductors SC-76，SOD-323 DIODE ESD PROT UNI 5V SOD323-2
PCG0J181MCO1GS
电容器 Nichicon 径向，Can - SMD CAP ALUM 180UF 6.3V 20% SMD

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