MSP430F2101IDW 全国供应商、价格、PDF资料

MSP430F2101IDW详细规格

类别：嵌入式 - 微控制器，

描述：IC MCU 16BIT 1K FLASH 20-SOIC

系列：MSP430F2xx

制造商：Texas Instruments

核心处理器：-

核心尺寸：16-位

速度：16MHz

连接性：-

外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT

I/O数：16

程序存储容量：1KB（1K x 8 + 256B）

程序存储器类型：闪存

EEPROM容量：-

RAM容量：128 x 8

电压_电源333Vcc/Vdd444：1.8 V ~ 3.6 V

数据转换器：斜率 A/D

振荡器类型：内部

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

包装：管件

MSP430F2101IDWR详细规格

类别：嵌入式 - 微控制器，

描述：IC MCU 16BIT 1K FLASH 20-SOIC

系列：MSP430F2xx

制造商：Texas Instruments

核心处理器：-

核心尺寸：16-位

速度：16MHz

连接性：-

外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT

I/O数：16

程序存储容量：1KB（1K x 8 + 256B）

程序存储器类型：闪存

EEPROM容量：-

RAM容量：128 x 8

电压_电源333Vcc/Vdd444：1.8 V ~ 3.6 V

数据转换器：斜率 A/D

振荡器类型：内部

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

包装：带卷 (TR)

MSP430F2101IDWR详细规格

类别：嵌入式 - 微控制器，

描述：IC MCU 16BIT 1K FLASH 20-SOIC

系列：MSP430F2xx

制造商：Texas Instruments

核心处理器：-

核心尺寸：16-位

速度：16MHz

连接性：-

外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT

I/O数：16

程序存储容量：1KB（1K x 8 + 256B）

程序存储器类型：闪存

EEPROM容量：-

RAM容量：128 x 8

电压_电源333Vcc/Vdd444：1.8 V ~ 3.6 V

数据转换器：斜率 A/D

振荡器类型：内部

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

包装：剪切带 (CT)

MSP430F2101IDWR详细规格

类别：嵌入式 - 微控制器，

描述：IC MCU 16BIT 1K FLASH 20-SOIC

系列：MSP430F2xx

制造商：Texas Instruments

核心处理器：-

核心尺寸：16-位

速度：16MHz

连接性：-

外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT

I/O数：16

程序存储容量：1KB（1K x 8 + 256B）

程序存储器类型：闪存

EEPROM容量：-

RAM容量：128 x 8

电压_电源333Vcc/Vdd444：1.8 V ~ 3.6 V

数据转换器：斜率 A/D

振荡器类型：内部

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

包装：Digi-Reel®