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MRF6S21100HR3详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780; 系列：-; 制造商：Freescale Semiconductor; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz; 增益：15.9dB; 电压_测试：28V; 额定电流：10µA; 噪音数据：-; 电流_测试：950mA; 功率_输出：23W; 电压_额定：68V; 封装/外壳：NI-780; 供应商设备封装：NI-780; 包装：带卷 (TR)

MRF6S21100HR5详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780; 系列：-; 制造商：Freescale Semiconductor; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz; 增益：15.9dB; 电压_测试：28V; 额定电流：10µA; 噪音数据：-; 电流_测试：950mA; 功率_输出：23W; 电压_额定：68V; 封装/外壳：NI-780; 供应商设备封装：NI-780; 包装：带卷 (TR)

MRF6S21100HSR3详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S; 系列：-; 制造商：Freescale Semiconductor; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz; 增益：15.9dB; 电压_测试：28V; 额定电流：10µA; 噪音数据：-; 电流_测试：950mA; 功率_输出：23W; 电压_额定：68V; 封装/外壳：NI-780S; 供应商设备封装：NI-780S; 包装：带卷 (TR)

MRF6S21100HSR5详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S; 系列：-; 制造商：Freescale Semiconductor; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz; 增益：15.9dB; 电压_测试：28V; 额定电流：10µA; 噪音数据：-; 电流_测试：950mA; 功率_输出：23W; 电压_额定：68V; 封装/外壳：NI-780S; 供应商设备封装：NI-780S; 包装：带卷 (TR)

MRF6S21100MBR1详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4; 系列：-; 制造商：Freescale Semiconductor; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz; 增益：14.5dB; 电压_测试：28V; 额定电流：10µA; 噪音数据：-; 电流_测试：1.05A; 功率_输出：23W; 电压_额定：68V; 封装/外壳：TO-272-4; 供应商设备封装：TO-272 WB-4; 包装：带卷 (TR)

MRF6S21100MR1详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4; 系列：-; 制造商：Freescale Semiconductor; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz; 增益：14.5dB; 电压_测试：28V; 额定电流：10µA; 噪音数据：-; 电流_测试：1.05A; 功率_输出：23W; 电压_额定：68V; 封装/外壳：TO-270-4; 供应商设备封装：TO-270 WB-4; 包装：带卷 (TR)

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RF FET Freescale Semiconductor NI-780S MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
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逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor SC-74A，SOT-753 IC INVERTER UNBUFFERED SOT23-5
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