MPSA44G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
MPSA44RL1详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带卷 (TR)
MPSA44RL1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带卷 (TR)
MPSA44RL1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：剪切带 (CT)
MPSA44RL1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN GP BIPO 400V TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：Digi-Reel®
MPSA44RLRA详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN SS GP 400V TO92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：300mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：750mV @ 5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，10V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：剪切带 (CT)
- 阵列，信号变压器 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 板 INDUCT PWR TOROID 9.8UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS NPN GP LP 500MA 200V TO-92
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD2 FOR ISL85033
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 180SEC 28-TSOP
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 4CHP 200V 250A MS-013
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
- 阵列，信号变压器 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 板 INDUCT PWR TOROID 6.4UH SMD
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 28-WFQFN 裸露焊盘 EVALUATION BOARD FOR ISL8510
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 210SEC 28-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDACTOR 200V 200A SURGE 6-SOICW
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M 水平式，4 PC 板 CONN PLUG 20POS .5MM VERT SMD
010-62104931、 
0755-83242658 
0755-22929859 
13510131896 
0755-83200050 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-83200050 
0755-22655674 
0755-82574045 
075584505750 
0755- 8255602 
