MPS650ZL1 全国供应商、价格、PDF资料

MPS650ZL1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：75 @ 1A，2V

功率_最大：625mW

频率_转换：75MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）

MPS650ZL1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：75 @ 1A，2V

功率_最大：625mW

频率_转换：75MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：剪切带 (CT)

MPS650ZL1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：75 @ 1A，2V

功率_最大：625mW

频率_转换：75MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）