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MMSZ5230BS-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.7V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：5µA @ 2V; 容差：±5%; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：19 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-76，SOD-323; 供应商设备封装：SOD-323; 包装：剪切带 (CT)

MMSZ5230BS-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.7V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：5µA @ 2V; 容差：±5%; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：19 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-76，SOD-323; 供应商设备封装：SOD-323; 包装：Digi-Reel®

MMSZ5230BS-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.7V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：5µA @ 2V; 容差：±5%; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：19 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-76，SOD-323; 供应商设备封装：SOD-323; 包装：带卷 (TR)

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MMSZ5229BS-7
单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-76，SOD-323 DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD-323
IDT71V3579S75PFG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 7.5NS 100TQFP
OPB983P51
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IMC1210ER390J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 39UH 5% 1210
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 10MSOP
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网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 4.3K OHM 4 RES 1206
ORNV50015001T5
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OPB990N11
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology 模块，预接线 SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS
IMC1210ER3R3J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 3.3UH 5% 1210
OPA2342UA/2K5G4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
ORNV50015001TS
网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET 5K OHM 5 RES 8-SOIC
MNR14E0ABJ433
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 43K OHM 4 RES 1206

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