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MMSZ5228BS-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3.9V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±5%; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：23 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-76，SOD-323; 供应商设备封装：SOD-323; 包装：剪切带 (CT)

MMSZ5228BS-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3.9V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±5%; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：23 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-76，SOD-323; 供应商设备封装：SOD-323; 包装：Digi-Reel®

MMSZ5228BS-7-F详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：3.9V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 1V; 容差：±5%; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：23 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-76，SOD-323; 供应商设备封装：SOD-323; 包装：带卷 (TR)

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OPB983N11Z
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MMSZ5228BS-7
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IDT71V3578S133PF8
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IMC1210ER270K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 27UH 10% 1210
MNR14E0ABJ394
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 390K OHM 4 RES 1206
ORNV25025002TF
网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
IDT71V3578S133PFG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP
NTPAN3R0LDKB0
涌入电流限制器 (ICL) Murata Electronics North America TO-220-3 CURRENT LIMITER INRSH 3 OHM 5.4A
IMC1210ER2R2K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 2.2UH 10% 1210
OPA2340UA/2K5
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
MNR14E0ABJ394
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 390K OHM 4 RES 1206
ORNV50011002T1
网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
MMSZ5229B-7-F
单二极管/齐纳 Diodes Inc SOD-123 DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
IDT71V3578S150PFGI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP

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