KSH30TF 全国供应商、价格、PDF资料

KSH30TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 40V 1A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 125mA，1A

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 1A，4V

功率_最大：1.56W

频率_转换：3MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：Digi-Reel®

KSH30TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 40V 1A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 125mA，1A

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 1A，4V

功率_最大：1.56W

频率_转换：3MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：带卷 (TR)

KSH30TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 40V 1A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 125mA，1A

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 1A，4V

功率_最大：1.56W

频率_转换：3MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：剪切带 (CT)