

KSD1616AGBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 频率_转换:160MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSD1616AGTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 频率_转换:160MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
KSD1616ALBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 频率_转换:160MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSD1616ALTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 频率_转换:160MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
KSD1616AYBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:135 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 频率_转换:160MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSD1616AYTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:135 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 频率_转换:160MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DUAL DIFF COMPARATOR 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 8V .5A TO-263
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 32-WFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 32-LLP
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/SKT CABLE
- IGBT - 单路 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 100A TO-3P
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 1.2V 1.5A TO263-5
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC DUAL DIFF COMPARATOR 8-MSOP
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/SKT CABLE
- IGBT - 单路 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT HIGH SPEED TO-3P
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-220-5 成形引线 IC REG LDO 1.2V 1.5A TO220-5
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 12V .4A SOT-223
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 250V 20% SNAP
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DUAL DIFF COMP 8-SOIC