KSC3552 全国供应商、价格、PDF资料

KSC3552NTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 800V 12A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：12A

电压_集电极发射极击穿（最大）：800V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 1.2A，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10 @ 800mA，5V

功率_最大：150W

频率_转换：15MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件

KSC3552OTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 800V 12A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：12A

电压_集电极发射极击穿（最大）：800V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 1.2A，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 800mA，5V

功率_最大：150W

频率_转换：15MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件

KSC3552RTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 800V 12A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：12A

电压_集电极发射极击穿（最大）：800V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 1.2A，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 800mA，5V

功率_最大：150W

频率_转换：15MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件