

KSB811GBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):25V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 100mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:110MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 短体
- 供应商设备封装:TO-92S
- 包装:散装
KSB811GTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):25V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 100mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:110MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3短身定形引线
- 供应商设备封装:TO-92S
- 包装:带盒(TB)
KSB811OBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):25V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 100mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:110MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 短体
- 供应商设备封装:TO-92S
- 包装:散装
KSB811OTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):25V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 100mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:110MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3短身定形引线
- 供应商设备封装:TO-92S
- 包装:带盒(TB)
KSB811YBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):25V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 100mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:110MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 短体
- 供应商设备封装:TO-92S
- 包装:散装
KSB811YTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):25V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 100mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:110MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3短身定形引线
- 供应商设备封装:TO-92S
- 包装:带盒(TB)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD IC SWITCH HISIDE SMART TO252-5
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 TRANSISTOR PNP 30V 3A TO-126
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Linear Technology 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘 IC OPAMP ADJ CURR LIMIT 20-TSSOP
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can CAP ALUM 56UF 50V 20% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, NXP Semiconductors - MCU 32BIT ARM 64-LQFP
- 触摸 NKK Switches 9-DIP 模块 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 420V 20% SNAP
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA IC SWITCH HISIDE SMART SOT223-4
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Linear Technology 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘 IC OPAMP ADJ PREC 500MA 20TSSOP
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can CAP ALUM 560UF 50V 20% RADIAL
- 触摸 NKK Switches 9-DIP 模块 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
- 嵌入式 - 微控制器, NXP Semiconductors 32-VQFN 裸露焊盘 IC MCU 32BIT 16K 33HVQFN
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 390UF 420V 20% SNAP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .156 WW