KSB708 全国供应商、价格、PDF资料

KSB708OTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V 7A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：7A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 500mA，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 3A，1V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

KSB708RTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V 7A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：7A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 500mA，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 3A，1V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

KSB708YTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V 7A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：7A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 500mA，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 3A，1V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件