

KSA733CGBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 1mA,6V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:180MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSA733CGTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 1mA,6V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:180MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
KSA733CLBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:350 @ 1mA,6V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:180MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSA733CLTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:350 @ 1mA,6V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:180MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
KSA733CYBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:180MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
KSA733CYTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:180MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- DC DC Converters Power-One 模块 EURO-CASSETTE 99W 2X 15V
- 矩形- 接头,公引脚 Hirose Electric Co Ltd 100-TQFP CONN HEADER 2POS 7.92MM PCB TIN
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 150 700MA TO-92
- 微调器,可变 Sprague-Goodman CAP TRIMMER 0.3-1.2PF 500V SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 圆盘形,金属配接件 - 有螺纹 CAP CER 5000PF 10KV 20% CHASSIS
- DC DC Converters Texas Instruments IC REG ISOLATED +/-15V DL 12SOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 8.9PF 50V NP0 0201
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS W/SKT WALL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 10PF 250V 2% NP0 0603
- 陶瓷 Murata Electronics North America 圆盘形,金属配接件 - 有螺纹 CAP CER 560PF 10KV 10% CHASSIS
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 8.9PF 50V NP0 0201
- DC DC Converters Texas Instruments IC REG ISOLATED +/-12V DL 12SOP
- 微调器,可变 Sprague-Goodman CAP TRIMMER 0.8-8PF 500V SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 4POS W/PIN WALL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 10PF 250V 5% NP0 0603