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IMT2AT108详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 PNP（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商设备封装：SMT6

包装：剪切带 (CT)

IMT2AT108详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 PNP（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商设备封装：SMT6

包装：Digi-Reel®

IMT2AT108详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 PNP（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商设备封装：SMT6

包装：带卷 (TR)