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IXFR100N25详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9100pF @ 25V; 功率_最大：400W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：ISOPLUS247?; 供应商设备封装：ISOPLUS247?; 包装：管件

IXFR102N30P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247; 系列：PolarHT™ HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：300V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：224nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：ISOPLUS247?; 供应商设备封装：ISOPLUS247?; 包装：管件

IXFR10N100Q详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：ISOPLUS247?; 供应商设备封装：ISOPLUS247?; 包装：管件

IXFR120N20详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：105A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：360nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9100pF @ 25V; 功率_最大：400W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：ISOPLUS247?; 供应商设备封装：ISOPLUS247?; 包装：管件

IXFR12N100详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：ISOPLUS247?; 供应商设备封装：ISOPLUS247?; 包装：管件

IXFR12N100Q详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：ISOPLUS247?; 供应商设备封装：ISOPLUS247?; 包装：管件

IRF3709ZL
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
IXFQ28N60P3
FET - 单 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
HFBR-4411
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
IRFR2905ZTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
ISL88015EVAL1Z
评估演示板和套件 Intersil SC-74A，SOT-753 BOARD EVALUATION FOR ISL88015
FVXO-LC52B-311
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 311 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C136-25NXCT
存储器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP
HLMP-AM64-140DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED OVAL 5MM 525NM INGAN GREEN
IRF3709ZSTRRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
ISL88016IHTZ-T7A
PMIC - 监控器 Intersil SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC VOLT SUPERVISOR TSOT23-6
IRFR310
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
FVXO-LC52BR-150
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 150 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C1362S-200AXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 512KX18 3.3V SYN 100TQFP
HLMP-BD06-STTDD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED OVAL 5MM ALINGAP2 630NM RED
IRF3710STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

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