IRLZ34N的供应信息|PDF资料|求购IRLZ34N上51电子网

IRLZ34NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRLZ34NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRLZ34NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRLZ34NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRLZ34NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRLZ34NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRFR2607Z
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRFPS40N60KPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
G7J-4A-P AC50
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PST 25A 50V
IRLZ34NPBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
H3CCH-3436M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC34H/AE34M/HKC34H
GQM1875C2E1R3BB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.3PF 250V NP0 0603
H5BXT-10110-S7-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065S/X 10"
H3CCH-5036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC50H/AE50M/HKC50H
IRFPS43N50K
FET - 单 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
FP1105R1-R22-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFILE 226NH 46A
H3CCH-6006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC60H/AE60G/HKC60H
GQM1875C2E1R3CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.3PF 250V NP0 0603
H3CCS-1006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC10S/AE10G/HKC10S
IRFR014PBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFR2905ZTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

IRLZ34N 全国供应商、价格、PDF资料