

IRLR7807ZCPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR7807ZCTRRP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7807ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR7807ZTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7807ZTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7807ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:43A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP GP RRIO 400KHZ DL 8MSOP
- Hard Metric,背板,支架和面板 - 配件 FCI 垂直式,4 PC 引脚 MPAC DISCR KEY(RECEPT)
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLCTOR 7MMX7MM FOR E3C-L
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V/2.5V .3A 10-DFN
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC TXRX 3.3V RS232/485 40-QFN
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT UFAST 600V 7.8A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS .100 EXTEND
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP RRIO MICROPWR 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V/2.8V .3A 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR GLASS HIGH TEMP
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC TXRX RS485/422 2PRT 28-SSOP
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT UFAST 600V 7.8A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP RRIO 400KHZ DL 8SOIC