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IRLR3110ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3980pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRLR3110ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3980pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRLR3110ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3980pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

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IRLR3110ZTRPBF 深圳市科恒伟业电子有限公司 0755-83200050
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