IRLR024详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 8.4A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR024NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR024NTRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR024NTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR024NTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
IRLR024NTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.6PF 50V T2H 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 150V 195A TO262
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 保险丝 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 7A 500V 6X32MM UL CSA
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 135.5 MHZ 3.3V LVDS SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 25V 35A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V T2H 0402
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 圆柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 100A 500V HS BOLT-ON
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165-FPBGA
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 25V 35A DIRECTFET
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 148.5 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
13410665908 
0755-83202411 
13410941925 
0755-82533156 
0755-82561519 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-82561519 
755-88608527（ 
755-83950890（ 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-83268779 
