IRLR014详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR014NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR014NTR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014NTRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014NTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014NTRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 电池组 Panasonic - BSG 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） BATTERY PACK 3.6V 2300 MAH NICAD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 16-SOIC
- 阵列，信号变压器 Pulse Electronics Corporation 模块 INDUCT PWR TOROID 108.0UH SMD
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TXRX RS-485/422 5V LP 14-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE AC FOR P2RF
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
- 旋转 - 线性 TT Electronics/BI POT ROTARY 50K OHM 24MM SLDR LUG
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 16-SOIC
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 板 CHOKE COM MODE 1.32MH 3.30A SMD
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPDT 16QFN
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANS NPN DARL SS 60V TO92
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET MOUNTING PLATE FOR P2RF
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）标片 SIDAC SYM 3CHP 200V 50A TO220
13510131896 
0755-88917652 
755-83241160（ 
19166203057 
755-83252273 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-83231869 
0512-67241533 
075582788161 
0755-23612326 
0755-82723761 
13410941925 
18913062888 
0755-83286481 
0755-83226745 
