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IRLML6402TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：633pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

IRLML6402TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：633pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：带卷 (TR)

IRLML6402TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：633pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：Digi-Reel®

IRLML6402TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：633pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

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