

IRLML6402GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 10V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML6402GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 10V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML6402GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 10V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML6402TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 10V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML6402TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 10V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML6402TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 10V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC COMP PREC W/P-POP LV 8-SOIC
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 900-BBGA IC FPGA 70KLUTS 583I/O 900-BGA
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 16-VFQFN,CSP IC PLLANTINUM SYNTHESZR LAM CSP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP GP 10MHZ LN 8MSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 1.2V .15A 6-LLP
- 线性 - 比较器 Texas Instruments * IC COMP PREC W/P-POP LV 8-MSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .100 EXTEND
- 固定式 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) INDUCTOR 1.5NH 300MA 0402
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTHESIZER 16-TSSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC OPAMP GP RRIO 400KHZ SC70-5
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.2V .15A 6-LLP
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC COMP PREC W/P-POP LV 8-MSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD
- 固定式 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) INDUCTOR 2.7NH 300MA 0402