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IRLML2502GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

IRLML2502GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：带卷 (TR)

IRLML2502GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：Digi-Reel®

IRLML2502TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

IRLML2502TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：Digi-Reel®

IRLML2502TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：带卷 (TR)

IS-L0205-C
配件 NKK Switches 模块 LOGIC BOARD FOR 36X24 LCD
E3K-C11-WH
其它 Illumra - KIT DEMO LIGHT SWITCH
IRLML2502TRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
ISL6568CRZ-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CTLR PWM BUCK 2PHASE 32-QFN
HCT7000MTX
FET - 单 TT Electronics/Optek Technology 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
IRFZ48STRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
E39-G10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X-NH11 AMPLIFIR UNIT
ISL55211IRTZ-T7A
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC OPAMP DIFF LOW NOISE 16TQFN
IS-L0205-C
配件 NKK Switches 模块 LOGIC BOARD FOR 36X24 LCD
ISL6568IRZA
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM BUCK 2PHASE 32-QFN
HCT-ACP-11
配件 OKI/Metcal 6-SMD，无引线 PUMP KIT 110VAC 14W >=28L/MIN
IRG4BC10KDPBF
IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT N-CH W/DIO 600V 9A TO220AB
E39-G10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X-NH11 AMPLIFIR UNIT
E3L-2DC4
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 RECEIVER ONLY FOR E3L-2RC4
IS-L0205-C
配件 NKK Switches 模块 LOGIC BOARD FOR 36X24 LCD

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