

IRLML2402GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 930mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML2402GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 930mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML2402GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 930mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML2402TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 930mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML2402TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 930mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML2402TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 930mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 15V
- 功率_最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div KNOB SENSITIVITY ADJ FOR SENSOR
- 配件 NKK Switches 模块 BOARD LOGIC 2 STD RBG SW SOCKETS
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 MOSFET DRIVER DUAL HS 16QFN
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 SENS OPTO REFL DRK/LGT WIRED MOD
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER DRIVER 1.5A 8-SMD GW
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div KNOB SENSITIVITY ADJ FOR SENSOR
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 SENS OPTO REFL DRK/LGT WIRED MOD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Intersil 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET DRIVER DUAL HS 8TSSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER DRIVER 0.4A 8-SMD GW
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div KNOB SENSITIVITY ADJ FOR SENSOR