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IRLML0060TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：92 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：Digi-Reel®

IRLML0060TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：92 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：带卷 (TR)

IRLML0060TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：92 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

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PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V .15A 6-UTDFN
HM1C09D2C010EBLF
背板 - 专用 FCI 径向 - 4 引线 10POS LOADED HM1C
IRF3707STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
E-450
卡导轨 Bivar Inc CARD GUIDE PRESS 4.5X0.078" BLK
ISL32455EIUZ-T7A
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC LINEAR
IRG4BC20W-SPBF
IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT WARP 600V 13A D2PAK
ISL9008AIRUJZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V .15A 6-UTDFN