IRLL110详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：管件
IRLL110PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：管件
IRLL110TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
IRLL110TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
IRLL110TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：Digi-Reel®
IRLL110TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫欧 @ 900mA，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：剪切带 (CT)
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.68UF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
- 线性 - 比较器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMP ULP R-R INPUT SOT23-5
- 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Lattice Semiconductor Corporation 672-BBGA IC FPGA 48KLUTS 672FPBGA
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EXTEND
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 1MHZ LN 8SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OP AMP RRIO 1.8V DUAL 8-MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.68UF 50V 10% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-WFBGA IC REG LDO 1.85V .15A 5MICROSMD
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC COMPARATOR R-R INPUT SC-70-5
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 1MHZ LN 8SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OP AMP RRIO 1.8V DUAL 8-MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.68UF 50V 20% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-WFBGA IC REG LDO 1.85V .15A 5USMD
0755-83202411 
0755-88917652 
0755-82561519 
755-83241160（ 
0755-83268779 
0755-82574045 
19166203057 
755-83252273 
0755-84507209 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-23915992 
19129493510 
0755-83226745 
