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IRL530NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRL530NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRL530NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRL530NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRL530NSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRL530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

E3ZM-LS67H
光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，连接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 150MM M8
IRF1010NSPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
HM-127127-10-8A
标签，标记 TE Connectivity 径向 LABEL ID PRODUCT
IRL530A
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
E39-L39
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET E3J TYPE
IRFU4105ZTR
FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
ISL3159EFBZ-T7A
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC LINEAR
IRFP048RPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
IRF1010NSTRR
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
HM13089LF
其它 FCI HM13089LF METRAL COUPLER
E39-L39
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET E3J TYPE
IRFP064
FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
ISL3159EFRZ-T7A
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC LINEAR
IRFU4510PBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N CH 100V 56A IPAK
E3ZM-T61 5M
光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 THRU-BEAM 15M NPN CABLE 5M

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