

IRL3713PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:260A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 38A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5890pF @ 15V
- 功率_最大:330W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3713SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:260A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 38A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5890pF @ 15V
- 功率_最大:330W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3713STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:260A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 38A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5890pF @ 15V
- 功率_最大:330W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRL3713STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:260A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 38A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5890pF @ 15V
- 功率_最大:330W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRL3713STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:260A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 38A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5890pF @ 15V
- 功率_最大:330W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL3713STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:260A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 38A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5890pF @ 15V
- 功率_最大:330W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS International Rectifier KIT EVAL REG 14A SUPIRBUCK DC/DC
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 PET NPN, PREWIRED, W/REFLECTOR
- 底座安装电阻器 Vishay Dale 径向,管状 RES 25 OHM 10% 300W EDGEWOUND WW
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 10NH 20% 1210
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TXRX RS485 FAULT PROT 10MSOP
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS International Rectifier KIT EVAL REG 10A SUPIRBUCK DC/DC
- 铁氧体圆盘和平板 Laird-Signal Integrity Products 径向,管状 FERRITE EMI DISC 20MM X 1.27MM
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 12NH 20% 1210
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS International Rectifier BOARD EVAL FOR IR3840W 12A CONV