IRL3502详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 64A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3502L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 64A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRL3502PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 64A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3502S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 64A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3502SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 64A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3502STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 64A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 过时/停产零件编号 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR20,28,48SSOP
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IXYS 6-VFDFN IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 50V 5% P2H 0603
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
- FET - 单 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.6PF 50V R2H 0603
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TQFN
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IXYS Integrated Circuits Division 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP
- FET - 单 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 150PF 50V 5% P2H 0603
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.7PF 50V R2H 0603
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TRANSCEIVER RS-485/422 5V 8-SOIC
- 配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC
0755-88291559 
0755-82542579 
0512-67241533 
0755-84502810 
18913062888 
0755-83286481 
0755-82561519 
0755-83663430 
0755-22929859 
0755-18503085 
0755-83209630 
0755- 8251939 
15112667855 
0755-89697985 
0755-83223003 
