

IRL3303详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3303D1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL3303D1S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL3303D1STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL3303D1STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL3303L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC SWITCH SPST SC70-5
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MEM VOICE REC/PLAY 48S 28SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div ADAPTING BRACKET FOR E3NT
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 ISOLATOR 3.75KVRMS 1CH 8SMD GW
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM 14SOIC
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 轴向,预接线 SENS 7M WIRE LEADS NPN T-BEAM 5M
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 8-WFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH DUAL SPST 8TDFN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER SGL TRANS OUT 8-SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 16-QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET FOR E3Z
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 轴向,预接线 RECVER 7M WIRE LEADS NPN T-BEAM