IRL3302详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 23A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3302L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 23A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRL3302PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 23A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3302S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 23A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3302SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 23A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3302STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 23A，7V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
- 适配器 Freescale Semiconductor 28.98mm 外径 x 19.05mm 内径 x 15.21mm L DEVELOPMENT 1.27MM 208-PIN
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC REG LDO 3.3V .3A 8-MSOP
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 100K 10UTQFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD IC REG LDO 2.5/3.3V .5A/1A P-PAK
- 配件 Carling Technologies 1812（4532 公制） MOUNTING PANEL MIDDLE ROCKER
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 4300PF 1.6KVDC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-WFBGA IC REG LDO 1.6V 5MA 5-MICROSMD
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 100.0UH SMD
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 50K 10UTQFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD
- 配件 Carling Technologies 1812（4532 公制） MOUNTING PANEL MIDDLE ROCKER
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-WFBGA IC REG LDO 1.6V 5MA 5-USMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-82542579 
13537790913 
0755-82723761 
18913062888 
0755-83286481 
0755-22929859 
0755-18503085 
0755-83209630 
0755- 8251939 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-83223003 
