

IRL2505L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 54A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL2505PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 54A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL2505S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 54A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL2505SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 54A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL2505STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 54A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL2505STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 54A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)裸露焊盘 IC VOLT REG DUAL LNB 28-EPSOIC
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 16.384 MHZ 18PF SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 逻辑 - 栅极和逆变器 STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC BUFF/CNVRTR HEX INVER 16SOICN
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 1000V SCSOA TO-247
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
- 配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V SCSOA TO-264
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
- 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能,可配置 STMicroelectronics 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE NAND/AND 8INPUT 14-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div POWER SUPPLY 24 VDC INPUT
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 75A 600V TO-264
- 配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN