IRFZ48NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 32A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRFZ48NLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 32A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRFZ48NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 32A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRFZ48NS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 32A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFZ48NSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 32A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRFZ48NSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 32A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 其它 International Rectifier IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
- 刻度盘 Bourns Inc. 9-DIP 模块，1/2 砖 COUNTING DIAL W/BRAKE BLACK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
- PMIC - PFC（功率因数修正） International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模块，1/2 砖 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模块，1/2 砖 JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
19166203057 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-23612326 
0755-82574045 
0755-83258002 
0755-82533534 
0755-82525087 
755-83252273 
0755-82542579 
0755-82561519 
83209217 
0755-88291559 
0755-83051566 
0512-67241533 
0755-82524712 
