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IRFZ46Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.6 毫欧 @ 31A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ46ZL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.6 毫欧 @ 31A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ46ZLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.6 毫欧 @ 31A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ46ZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.6 毫欧 @ 31A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ46ZS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.6 毫欧 @ 31A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ46ZSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.6 毫欧 @ 31A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

P1300EA
TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR SURGE SUP TO92 120V
IRFZ46ZLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
OSTYK61109030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 9CIRC 10MM
OX33GK
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES CERAMIC COMP 3.3 OHM 1W
P1800SBRP
TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB SIDACTOR BIDIR 170V 250A DO-214
OSTYK50616330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 16CIRC 9.50MM
MP8-3Q-1E-4LL-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVH055150
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 5POS
P1300EARP1
TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR BI 120V 150A TO-92
OSTYK61111030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 11CIRC 10MM
P1803AB
TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）标片 SIDAC SYM 3CHP 150V 250A TO-220
OSTYK50618330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 18CIRC 9.50MM
MP8-3Q-1L-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVH135150
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 13POS
P1300EBLRP1
TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR BI 120V 250A TO-92

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