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IRFZ44E详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ44EL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ44EPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ44ES详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ44ESPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ44ESTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 29A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

ISD-COB1964
过时/停产零件编号 Nuvoton Technology Corporation of America BOARD DEMO FOR ISD1964/32
LF9GYX
套管 - 音频 Switchcraft Inc. TO-220-3 PATCHCORD 1/4" GRAY 9FT
IRFZ44E
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
K122K15X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1200PF 50V X7R RADIAL
K2000GH
二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，轴向 SIDAC 190-215VBO 1A H-ENERG DO15
K334M20X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
ECW-H12203HV
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.02UF 1.25KVDC RADIAL
K330J15C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 33PF 50V 5% RADIAL
ISD-DEMO2100
评估演示板和套件 Nuvoton Technology Corporation of America BOARD DEMO FOR ISD2100
K2000GRP
二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，轴向 SIDAC 190-215VBO 1A DO-15X
K33-B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 SENS POWER SUPPLY 10VDC 5% 100MA
ECW-H12203JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.02UF 1.25KVDC RADIAL
K122K15X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1200PF 50V X7R RADIAL
ISD-ES002
过时/停产零件编号 Nuvoton Technology Corporation of America DEMO BOARD "PARROT" ISD1000/2500
K330J15C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 33PF 100V 5% RADIAL

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