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IRFZ34详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ34E详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ34EPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ34L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 18A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262-3; 包装：管件

IRFZ34NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ34NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

H5007NLT
脉冲 Pulse Electronics Corporation TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT
FK26C0G2E392J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 3900PF 250V 5% RADIAL
GRM0335C1E620GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 62PF 25V 2% NP0 0201
ISL81334IAZ-T
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） TXRX ESD RS-485/422 2PORT 28SSOP
FK26C0G2E822J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 8200PF 250V 5% RADIAL
H7PPH-2510G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMM25H/AE25G/HMM25H
IRFZ34EPBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
H5007T
脉冲 Pulse Electronics Corporation GIGABIT SINGLE
FK26C0G2J101J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 100PF 630V 5% RADIAL
GRM0335C1E680JD01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 68PF 25V 5% NP0 0201
H5008NLT
脉冲 Pulse Electronics Corporation TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT
H7PPH-3710M
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMM37H/AE37M/HMM37H
FK26C0G2J101J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 100PF 630V 5% RADIAL
FK26C0G2J182J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 1800PF 630V 5% RADIAL
ISL81485IB-T
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 5V HS 8-SOIC

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